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SK하이닉스 '역대 최대 실적' 예고, HBM 수요 증가 '일등공신'
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김민주
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지난해 4Q 매출 19.7조·영업익 8조 전망
범용 메모리 시장 침체에도 HBM 매출 비중 확대
상반기 HBM3E 16단 샘플 인증 예정, 시장 우위 지속
최태원 SK그룹 회장이 SK하이닉스 주요 경영진과 함께 경기 이천시 SK하이닉스 이천캠퍼스 HBM 생산 현장을 점검하고 있다/ 사진=SK그룹

SK하이닉스가 지난해 3분기에 이어 4분기에도 '분기 최대 실적' 기록을 경신할 것으로 전망된다. 전방 정보기술(IT) 수요 둔화에 따른 메모리 가격 하락에도 인공지능(AI) 열풍으로 수요가 증가한 고대역폭메모리(HBM)의 판매 비중을 늘린 결과로 분석된다.

4분기 역대급 실적 달성 눈앞

22일 금융정보업체 에프앤가이드에 따르면 SK하이닉스의 지난해 4분기 영업이익 컨센서스(증권사 전망치 평균)는 8조210억원으로, 1년 전(3조5,941억원)보다 두 배 이상 높다. 매출액 전망치 평균은 19조7,001억원으로 1년 전(14조8,402억원)보다 30% 이상 늘었다. 연간 기준으로도 사상 최대가 될 것으로 예상된다. 시장에서는 SK하이닉스의 지난해 연간 영업이익을 23조4,119억원으로 추정한다. 이는 반도체 슈퍼 호황기로 꼽히는 지난 2018년 성적표(영업이익 20조8,438억원)를 뛰어넘는 액수다.

호실적의 배경엔 AI 시대를 맞아 늘어난 AI 수요 증가가 있다. 범용 메모리 가격의 경우 중국의 저가 공세에 따른 공급 과잉으로 수익성이 크게 떨어졌지만 AI 수요가 탄탄하게 이어지면서 HBM 등 고수익 제품에 집중한 SK하이닉스의 실적이 날개를 달았다는 평가다. HBM의 판매단가는 기존 D램보다 4~5배 이상 높은 것으로 알려졌다.

현재 SK하이닉스는 AI칩 시장을 주도하는 미국 반도체 업체 엔비디아에 사실상 HBM을 독점 공급하고 있다. 업계는 SK하이닉스의 글로벌 HBM 시장점유율을 50% 이상으로 파악하고 있다. 아울러 최근에는 HBM뿐 아니라 고용량 더블데이터레이트(DDR5) 모듈, 기업용솔리드스테이트드라이브(eSSD) 등 데이터센터용 제품 수요에도 적극 대응하며 흑자 규모를 늘리고 있다.

상당수 증권사는 4분기 SK하이닉스의 D램 매출 중 HBM의 비중이 40% 선을 넘어선 것으로 보고 있다. DS증권은 최근 보고서에서 "SK하이닉스의 HBM 매출 비중은 4분기 D램 내 42%까지 증가할 전망"이라며 "2024년 연간으로는 전사 매출 비중의 20%, D램 내 매출 비중의 30%를 차지할 것"이라고 밝혔다. IBK증권 역시 SK하이닉스의 2023년 1분기 D램 매출 중 HBM 비중이 7%에 그쳤지만, 2023년 4분기 16%로 올라선 후 2024년 1분기 17%, 2분기 20%, 3분기 31%, 4분기 41%로 늘었다고 분석했다. 증권사들이 추정하는 SK하이닉스 HBM의 영업이익률은 50%가 넘는다.

삼성 DS사업부 영업익 3조 안팎, SK는 D램 전체 영업익 7조

4분기 영업이익이 컨센서스에 부합할 경우, SK하이닉스는 분기 최대 실적을 경신하게 된다. SK하이닉스는 지난해 3분기 영업이익 7조300억원을 기록하며 최대 실적을 거둔 바 있다. 5개 분기 만에 흑자전환에 성공한 2023년 4분기 영업이익 3,460억원과 비교하면 7조원 이상 늘어난 호실적이다.

특히 이 같은 수치는 경쟁사인 삼성전자를 뛰어넘는 기록이다. 앞서 삼성전자는 영업이익 6조5,000억원의 4분기 잠정 실적을 발표했는데, 반도체 사업을 담당하는 DS부문의 영업이익은 3조원대 안팎으로 추정된다.

삼성전자 관계자는 “메모리 사업은 PC·모바일 중심 Conventional(범용) 제품 수요 약세 속 고용량 제품 판매 확대로 4분기 메모리 역대 최대 매출 달성에도 불구, 미래 기술 리더십 확보를 위한 연구개발비 증가 및 선단공정 생산능력 확대를 위한 초기 램프업 비용 증가 영향으로 실적이 감소했다”고 설명했다.

SK그룹 CES 2025 전시관에 전시된 SK하이닉스의 HBM3E 16단 제품/사진=SK하이닉스

올해도 생산 물량 확대, D램 경쟁력 강화에도 속도

이런 가운데 SK하이닉스는 올해도 HBM 제품 판매 비중을 확대하며 실적 개선 흐름을 이어간다는 방침이다. SK하이닉스는 이달 초 미국 라스베이거스에서 열린 'CES 2025'에서는 지난해 11월 개발을 공식화한 HBM3E(5세대) 16단 제품의 샘플을 공개했다. 해당 제품은 '어드밴스드 MR-MUF 공정'을 적용해 업계 최고층인 16단을 구현하면서도 칩의 휨 현상을 제어하고 방열 성능을 극대화했다. 이를 통해 기존 제품 대비 AI 학습 성능은 최대 18%, 추론 성능은 32% 향상시켰다. SK하이닉스는 올해 상반기 중 관련 샘플을 엔비디아 등 고객사에 공급해 인증 절차를 진행할 계획이다.

이밖에 주력사업인 D램 제품 경쟁력 강화에도 속도를 내고 있다. SK하이닉스는 이르면 다음 달 10㎚(나노미터·10억분의 1m) 급 6세대(1c) 미세공정을 적용한 D램을 세계 최초로 양산할 예정이다. 차선용 SK하이닉스 미래기술연구원장(부사장)은 지난 15일 임직원 소통 행사에서 10나노급 6세대 D램과 관련해 "14일 매스퀄이 났다"고 말했다. 매스퀄은 양산 인증을 의미하며, 회사에서 생산한 6세대 D램의 품질과 수율이 본격 양산할 수준까지 향상됐다는 뜻으로 해석할 수 있다. 업계에서는 6세대 D램을 데이터센터에 적용하면 전력 비용을 이전보다 최대 30%까지 줄일 수 있을 것으로 보고 있다. SK하이닉스는 이 기술을 향후 7세대 HBM인 HBM4E 등에도 적용할 방침이다.

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