"HBM3E 30% 저가에 공급" 차세대 HBM4에 사활 거는 삼성전자, SK하이닉스도 고객사 확보 완료

공급망 합류 늦은 삼성전자, HBM3E 시장 가격 인하 주도
P4 중심으로 생산 라인 투자 단행하며 'HBM4 시대' 대비 착수
"4분기 출하 시작" SK하이닉스, HBM4 공급 협의까지 마쳐

고대역폭메모리(HBM) 시장의 주도권을 잡기 위한 경쟁이 격화하는 가운데, 삼성전자가 5세대 HBM인 HBM3E의 공급 가격을 대폭 인하했다. 시장 진입 지연으로 인해 경쟁력이 약화한 HBM3E를 저가에 공급하고, 차세대 제품인 HBM4에서 수익성을 확보하겠다는 구상으로 풀이된다.

삼성전자의 HBM3E 공급 전략

28일(현지시각) 대만 IT 전문 매체 디지타임스는 차세대 HBM3E 12단 제품 인증 지연으로 경쟁사에 주도권을 내어준 삼성전자가 올해 하반기 시장 지배력 회복을 위한 대대적인 반격에 나설 것이라고 분석했다. 삼성전자는 약 18개월에 걸쳐 반복적인 테스트와 수정을 반복하다 올해 4분기에 들어서야 핵심 고객사 엔비디아를 향한 12단 HBM3E 출하를 시작한 바 있다. 경쟁사인 SK하이닉스나 마이크론보다 6~12개월가량 늦게 시장에 진입한 것이다.

시장에 먼저 진출한 SK하이닉스와 마이크론이 2026년까지 판매 물량을 대부분 확보한 상태인 만큼, 삼성전자는 HBM3E 출하가 확정된 이후에도 유의미한 입지를 확보하지 못했다. 궁지에 몰린 삼성전자가 꺼내든 반격 카드는 가격이었다. 2026년 HBM3E의 평균 가격 하락이 예상되는 가운데, 삼성은 이미 HBM3E 12단 스택 제품의 최대 30% 가격 인하를 주도 중인 것으로 전해진다.

삼성전자의 이 같은 가격 인하 전략이 이미 지난 2분기부터 본격화했다는 분석도 있다. 2분기 HBM3E 판매 비중이 크게 늘었음에도 불구, D램의 ASP(평균판매가격)는 크게 변하지 않아서다. 삼성전자 측은 지난 7월 "HBM3E 제품은 수요 성장 속도를 상회하는 공급 증가로 수급 변화가 예상돼 당분간 시장 가격에도 영향이 있을 것"이라며 HBM3E와 범용 D램의 수익률 격차가 가파르게 줄어들 수 있다는 전망을 내놓기도 했다.

HBM 중심으로 생산 라인 전환

시장에서는 삼성전자가 HBM3E 대신 차세대 제품인 HBM4를 통해 수익성을 끌어올릴 것이라는 전망이 지배적이다. 현재 삼성전자는 일반 서버용 D램을 뒤로하고 인공지능(AI) 메모리 생산 비중을 확대하며 다가올 HBM4 경쟁에 대비 중이다. 평택캠퍼스 P4 공장에 대한 삼성전자의 투자 전략을 살펴보면 이 같은 방향성을 여실히 확인할 수 있다.

P4는 2026년 본격 가동을 목표로 HBM4 대응 1c(6세대 10나노급) D램 생산 라인 구축을 진행 중이다. 기존 D램 공정 일부를 AI용 메모리 중심으로 재구성하고, 고집적 공정에 필수적인 EUV(극자외선) 노광 장비와 TSV(실리콘 관통전극) 패키징 설비를 확충하는 방식이다. 이와 관련해 업계 관계자는 "P4는 삼성전자가 AI 메모리 중심으로 전환하는 상징적인 프로젝트"라며 "향후 서버용 D램보다 HBM과 HBM-PIM(Processing-in-Memory) 같은 고부가 제품 중심으로 삼성전자의 포트폴리오가 재편될 것"이라고 말했다.

시장 조사 업체 트렌드포스 역시 유사한 전망을 제시했다. 트렌드포스는 "삼성전자가 P4에서 확보할 신규 캐파는 대부분 HBM4 및 HBM4E 생산에 투입될 것으로 예상된다"며 "AI용 GPU와 서버 시장에서 HBM 수요가 폭발적으로 증가함에 따라 일반 D램보다 HBM 중심의 투자가 수익성 강화로 이어질 것"이라고 분석했다.

경쟁사들은 희비 극명히 엇갈려

삼성전자의 대표적 경쟁사인 SK하이닉스의 경우 이미 지난달 HBM4 개발을 완료하고 양산 체제를 구축한 상태다. SK하이닉스는 4분기부터 제품을 출하하기 시작해 내년에는 본격적인 판매 확대에 나설 계획이다. 고객사 확보 역시 사실상 마무리됐다. SK하이닉스는 29일 2025년 3분기 실적 발표 콘퍼런스콜에서 "HBM은 2023년 이후 솔드아웃 상태가 이어지고 있으며, HBM4도 현재 수익성이 유지 가능한 수준에서 공급 협의를 마쳤다"고 밝혔다. 이어 "HBM 공급이 단시일 내에 수요를 따라잡기 어렵다고 판단하고 있다"며 "이에 일반 D램보다는 상당히 높은 성장률을 이어갈 것"이라고 전망했다.

또 다른 경쟁사인 미국 마이크론은 엔비디아의 HBM4 요구 성능을 맞추는 데 난항을 겪고 있는 것으로 알려졌다. 미국 금융 증권사 제프리스의 제프 킴 연구원은 “마이크론은 HBM4에서 (엔비디아가 요구한) 초당 11기가비트(Gb)를 달성했다고 말했지만, 좋은 수율과 대량 생산으로 이어지지 못하며 고전 중”이라고 지적했다. 지난달 실적 발표에서 산제이 메트로트라 마이크론 최고경영자(CEO)가 내놓은 발언이 사실과 다르다는 분석이다. 당시 산제이 CEO는 초당 11Gb의 HBM4 샘플을 고객사에 전달했으며, 내년 2분기 첫 HBM4 양산 출하를 시작하고 하반기 본격적으로 생산에 착수할 계획이라고 밝힌 바 있다.

킴 연구원은 자신의 엔지니어링 소식통을 인용해 마이크론이 사실상 HBM4 재설계가 필요한 상황에 놓였으며, 재설계 이후 생산까지는 최대 9개월이 필요할 것으로 내다봤다. 그는 “HBM4에서 속도를 높이기 위해 내부 설계를 변경하는 것은 매우 어렵다”며 "전체 프로세스를 변경하는 데 6~9개월이 걸릴 것이며, 그동안 마이크론은 일부 HBM 생산라인을 서버용 D램으로 전환하고 있다"고 설명했다.